Antimoniure de gallium

Antimoniure de gallium

__ Ga3+     __ Sb3-
Maille cristalline de l'antimoniure de gallium
Identification
No CAS 12064-03-8
No ECHA 100.031.859
No CE 235-058-8
PubChem 6335277
Propriétés chimiques
Formule GaSb  [Isomères]
Masse molaire[1] 191,483 ± 0,002 g/mol
Ga 36,41 %, Sb 63,59 %,
Propriétés physiques
fusion 712 °C
Masse volumique 5,61 g·cm-3[2]
Conductivité thermique 0,32 W·cm-1·K-1
Propriétés électroniques
Bande interdite 0,726 eV à 300 K[3]
Mobilité électronique 3 000 cm2·V-1·s-1[4]
Mobilité des trous 1 000 cm2·V-1·s-1[4]
Propriétés optiques
Indice de réfraction n {\displaystyle n_{}^{}}  3,8
Précautions
SGH[5]
SGH07 : Toxique, irritant, sensibilisant, narcotiqueSGH09 : Danger pour le milieu aquatique
Attention
H302, H332, H411 et P273
H302 : Nocif en cas d'ingestion
H332 : Nocif par inhalation
H411 : Toxique pour les organismes aquatiques, entraîne des effets à long terme
P273 : Éviter le rejet dans l’environnement.
Transport[5]
-
   1549   
Numéro ONU :
1549 : COMPOSÉ INORGANIQUE SOLIDE DE L’ANTIMOINE, N.S.A. à l’exception des sulfures et des oxydes d’antimoine contenant au plus 0,5 pour cent (masse) d’arsenic
Classe :
6.1
Étiquette :
pictogramme ADR 6.1
6.1 : Matières toxiques
Emballage :
Groupe d'emballage III : matières faiblement dangereuses.
Composés apparentés
Autres cations Antimoniure de bore
Antimoniure d'aluminium
Antimoniure d'indium
Autres anions Nitrure de gallium
Phosphure de gallium
Arséniure de gallium

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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L’antimoniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaSb. Il s'agit d'un semiconducteur III-V diamagnétique[6] dont le paramètre de maille vaut 609,593 pm[2] et la largeur de bande interdite environ 0,726 eV, ce qui en fait un matériau privilégié pour la réalisation de photodétecteurs infrarouges, de diodes électroluminescentes infrarouges, voire de cellules thermophotovoltaïques.

Notes et références

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. a et b (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
  3. (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
  4. a et b (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
  5. a b et c SIGMA-ALDRICH
  6. (de) Georg Brauer, « Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie Band II » p. 862, Ferdinand Enke Verlag, Stuttgart, Allemagne, 1978. (ISBN 3-432-87813-3)
v · m
Antimoniures
  • AlSb
  • GaSb
  • AlxGa1−xSb
  • InSb
  • AlxIn1−xSb
Sb(0)
  • Bi1-xSbx
Sb(III)
  • SbBr3
  • Sb(C2H3O2)3
  • SbCl3
  • SbF3
  • SbH3
  • SbI3
  • Sb2O3
  • Sb2S3
  • Sb2(SO4)3
  • Sb2Se3
  • Sb2Te3
Sb(III,V)
  • Sb2O4
Sb(V)
  • SbCl5
  • SbF5
  • Sb2O5
  • Sb2S5
v · m
Ga(I)
  • Ga2O
Ga(II)
  • GaS
  • GaSe
  • GaTe
Ga(III)
  • GaF3
  • GaCl3
  • GaBr3
  • GaI3
  • GaH3
  • Ga2H6
  • GaN
  • GaAs
  • GaP
  • GaAs1−xPx
  • GaxIn1−xAs
  • AlxGa1−xAs
  • AlxGa1−xN
  • AlxGa1−xSb
  • InxGa1−xN
  • InxGa1−xP
  • GaSb
  • Ga(OH)3
  • Ga2O3
  • Ga2S3
  • Ga2Se3
  • Ga2Te3
  • Ga(NO3)3
  • GaPO4
  • GaAsO4
  • Ga2(SO4)3
  • Ga(O2C5H7)3
  • LiGaH4
  • Gd3Ga5O12
  • Tb3Ga5O12
  • La3Ga5SiO14
  • CuInxGa1−xSe2
  • V3Ga
Organogallium(III)
  • Ga(CH3)3
  • Ga(C2H5)3
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