SDRAM : Generacje SDRAM, Historia, Technologia, Zobacz też Wikipedia, wolna encyklopedia

SDRAM

Ten artykuł od 2021-04 zawiera treści, przy których brakuje odnośników do źródeł.

Należy dodać przypisy do treści niemających odnośników do źródeł. Dodanie listy źródeł bibliograficznych jest problematyczne, ponieważ nie wiadomo, które treści one uźródławiają.
Sprawdź w źródłach: Encyklopedia PWN • Google Books • Google Scholar • Federacja Bibliotek Cyfrowych • BazHum • BazTech • RCIN • Internet Archive (texts / inlibrary)
Dokładniejsze informacje o tym, co należy poprawić, być może znajdują się w dyskusji tego artykułu.
Po wyeliminowaniu niedoskonałości należy usunąć szablon {{Dopracować}} z tego artykułu.

SDRAM (od ang. synchronous dynamic random-access memory) – rodzaj pamięci DRAM pracującej synchronicznie z magistralą systemową, co odróżnia ją od klasycznej pamięci DRAM typu FPM i EDO, które pracują asynchronicznie.

Generacje SDRAM

Początkowo pod nazwą SDRAM kryły się układy obecnie nazywane SDR SDRAM (przedrostek SDR pojawił się po wprowadzeniu pamięci DDR SDRAM).

Obecnie do rodziny pamięci SDRAM zaliczamy:

SDR (single data rate)
- SDR SDRAM (przepustowość od 533 MB/s do 1066 MB/s)
DDR (double data rate)
- DDR SDRAM (przepustowość od 1600 MB/s do 3200 MB/s)
- DDR2 SDRAM (przepustowość od 3200 MB/s do 6400 MB/s)
- DDR3 SDRAM (przepustowość od 6400 MB/s do 19200 MB/s)
- DDR4 SDRAM (przepustowość od 12800 MB/s do 25600 MB/s)

Historia

W 1993 roku Samsung wprowadził na rynek pierwszy moduł pamięci synchronicznej SDRAM KM48SL2000. Popularne moduły DIMM SDR SDRAM dla komputerów PC pojawiły się w sprzedaży w 1997 roku, jako następca pamięci typu FPM, których typowa przepustowość wynosiła 230 MB/s oraz ich odmiany EDO (400 MB/s). Uzyskano wzrost prędkości pracy z 50–60 ns do 6–15 ns, co zwiększyło przepustowość od 533 MB/s do 1066 MB/s w przypadku modułów pierwszej generacji SDR SDRAM. Kolejne generacje SDRAM, czyli pamięci: DDR pojawiły się w roku 2000, DDR2 w drugiej połowie 2003 roku, DDR3 w 2007 roku. Pierwsze działające pamięci DDR4 pokazano na targach CES 2013 w styczniu 2013 roku.

Technologia

Synchroniczna praca SDRAM wiąże się takimi innowacjami jak przeplot czy przesył pakietowy. Dzięki przeplotowi, który zastąpił przechodzenie przez proces aktywacja banku - odczyt danych - aktywacja kolejnego banku - zapis i tak dalej, w pamięci SDRAM o dostępie przeplatanym istnieje możliwość jednoczesnej aktywacji dwóch banków, co umożliwia odczyt danych z jednego banku i zapis danych w drugim bez straty czasu na reaktywację takich banków. Dzięki przesyłowi pakietowemu, zamiast odczytu z zaledwie jednej lokacji w obszarze DRAM, system odczytuje również pewną liczbę lokalizacji sąsiednich, tak by przechowane w nich dane mogły zostać zachowane w pamięci cache. Ponieważ te dane najprawdopodobniej będą potrzebne w trakcie kilku następnych transakcji, odczytywanie ich z pamięci cache jest szybsze niż przechodzenie przez wszystkie wymagane cykle pamięci.